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无铅，全新原装现货！
描述
晶体管极性:N沟道电压, Vds 最大:100V开态电阻, Rds(on):0.028ohm功耗:150WTransistor Case Style:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC功率, Pd:150W封装类型:TO-220AB引脚节距:2.54mm晶体管数:1晶体管类型:MOSFET温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C热阻, 结至外壳 A:0.75°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:100V电流, Id 连续:46A电流, Idm 脉冲:180A表面安装器件:通孔安装针脚格式:1 g2 d/tab3 s针脚配置:a阈值电压, Vgs th 典型值:4V
| 品牌 | IR | 型号 | IRF3710PBF |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 |
| 材料 | SB肖特基势垒栅 | 开启电压 | `（V） |
| 夹断电压 | ~（V） | 低频跨导 | ~（μS） |
| 极间电容 | ~（pF） | 低频噪声系数 | ~（dB） |
| 最大漏极电流 | ~（mA） | 最大耗散功率 | 150（mW） |
